ПОДДОН ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ
Области применения: процесс ICP-травления тонкопленочных материалов с эпитаксиальным слоем (GaN, SiO2 и т. д.) для сердечников пластин светодиодов, диффузия полупроводников с использованием прецизионных керамических деталей и эпитаксиальный процесс MOCVD для полупроводниковых пластин. Керамические лотки из карбида кремния изготовлены из высокочистого спеченного керамического материала из карбида кремния без давления, который обладает такими преимуществами, как высокая твердость, износостойкость, высокая теплопроводность, механическая стабильность при высоких температурах и коррозионная стойкость, а также высокая точность и однородность. травления эпитаксиального слоя пластины.
Описание
Лотки из карбида кремния имеют множество преимуществ по сравнению с лотками других типов. Прежде всего, их высокая теплопроводность делает их идеальными для процессов термообработки, таких как спекание и пайка. Они могут выдерживать температуру до 1650 градусов без деформации и деградации, а это означает, что их можно использовать в суровых условиях, где другие материалы не работают.
Во-вторых, лотки из карбида кремния химически инертны и не вступают в реакцию с большинством химических веществ, включая кислоты, основания и соли. Эта особенность делает их идеальными для использования в химической и фармацевтической промышленности, где часто используются агрессивные химические вещества.
В-третьих, лотки из карбида кремния обладают высокой устойчивостью к истиранию и низким коэффициентом теплового расширения. Это делает их идеальными для использования в высокотемпературных печах, где детали должны хорошо прилегать друг к другу, а не расширяться или сжиматься из-за температурных изменений.
